Ученым удалось получить двумерный дырочный газ.
Как сообщает ТАСС, команда ученых из Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» смогли получить двумерный дырочный газ на широкозонном полупроводнике ¬из оксида галия - κ-Ga2O3, который вырастили на подложке нитрида алюминия.
Ученые изучали электрические свойства материала и определили, что на границе между κ-Ga2O3 и нитридом алюминия появляется дырочная проводимость, которую впервые получилось получить с использованием κ-Ga2O3. Однако оксид галия рано называть основой полупроводниковой промышленности, так как потребуется еще множество экспериментов и тестов нового материала
Отметим, что полупроводниковая промышленность использовала кремний, но на сегодняшний день требуются материалы с более широкой запрещенной зоной и чем больше ширина, тем напряжение можно приложить к элементу. Данная характеристика также позволяет уменьшить сопротивление и увеличить рабочую температуру.
