Новый метод создания материалов для электроники открыт сотрудниками Курчатовского института

Автор: Юлия Казарян

Основными компонентами новой технологии стали кремний и функциональный оксид

Специалисты из НИЦ «Курчатовский институт» разработали новый метод создания материалов для электронных устройств. Основными компонентами новой технологии стали кремний и функциональный оксид. Об этом пишет ТАСС, ссылаясь на пресс-службу института.

Ученые НИЦ «Курчатовский институт» разработали новую стратегию получения перспективных материалов для электроники. Они создаются путем интеграции двух компонентов — кремниевой основы и функционального оксида, который формируется в виде тонкой пленки. Уникальность технологии заключается в управлении границей раздела между этими двумя компонентами в материале. Предложенный подход универсален и позволит в будущем получить большое разнообразие структур, которые будут востребованы для создания энергоэффективных устройств,

из сообщения пресс-службы НИЦ «Курчатовский институт».

Было установлено, что объединение компонентов материала проходило через универсальную структуру, формирующуюся на границе кремниевой основы и оксида. От типа выбранного оксида зависят свойства изготовляемого материала. Сам процесс создания структуры заключается в использовании кремниевой основы в качестве подложки, на которой выращиваются слои оксида.

Известно, что новый метод уже позволил специалистам получить несколько материалов, обладающих магнитными свойствами. Они смогут применяться для создания электронных устройств с низким потреблением энергии.

Ученые отметили, что в настоящее время кремниевая электроника достигла своего предела, поэтому необходимо разрабатывать новые функциональные материалы для создания спинтроники. Это позволит задействовать уже существующую кремниевую технологическую платформу, а также компенсировать свойства, которые отсутствуют у данного вещества.

Фото: interest-news.ru, cnrs.fr, ytimg.com

Поиск

Главные новости