EUV без ASML: ксеноновая плазма и зеркала Ru/Be вместо олова

Институт физики микроструктур РАН представил дорожную карту по созданию отечественных систем литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV) на период до 2037 года. План предполагает поэтапный переход от 40-нм к суб-10-нм техпроцессам с использованием альтернативной архитектуры, отличной от решений ASML, пишет PEPELAC.NEWS.

В основе российской концепции — гибридные твердотельные лазеры, источники излучения на ксеноновой плазме и зеркала Ru/Be, работающие на длине волны 11,2 нм. Такой подход должен снизить загрязнение фотошаблонов, упростить обслуживание и сделать оборудование дешевле по сравнению с платформами ASML Twinscan.

Согласно плану, первая установка (2026–2028 гг.) будет поддерживать 40-нм процессы и до 5 пластин в час. На втором этапе (2029–2032 гг.) появится сканер для 28 нм (с возможностью 14 нм), а к 2036 году ожидается версия с суб-10-нм нормами, точностью до 2 нм и производительностью более 100 пластин в час. Однако у проекта есть слабые места: длина волны 11,2 нм не является отраслевым стандартом, а значит, потребуется разработка новой оптики и расходных материалов.

Эксперты считают инициативу крайне амбициозной, но пока не доказано, что она будет реализуема в заданные сроки. Если же план удастся выполнить, Россия получит не только независимость в области микроэлектроники, но и возможность предложить конкурентную альтернативу странам, ограниченным в доступе к EUV-технологиям ASML.