Китай разрабатывает твердотельный лазер для производства чипов
Исследователи из Китайской академии наук (CAS) достигли значительного прогресса в разработке твердотельного лазера для литографии микросхем. Они создали в лабораторных условиях источник лазера глубокого ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм, что является ключевым для фотолитографического процесса в полупроводниковой промышленности, пишет PEPELAC.NEWS.
Этот метод отличается от используемых в индустрии систем ASML, Canon и Nikon, которые производят 193-нм лучи с помощью газовых эксимерных лазеров. Вместо этого китайская система использует твердотельный кристалл Yb:YAG с длиной волны 1 030 нм, который через ряд преобразований вырабатывает необходимый ультрафиолетовый свет.
Несмотря на то что текущая мощность системы CAS составляет всего 70 мВт при частоте 6 кГц, что меньше требуемых для коммерческого производства полупроводников, учёные надеются усовершенствовать технологию до необходимых уровней. Это может позволить Китаю значительно продвинуться в создании собственной полупроводниковой базы.
