Данное решение прежде всего ориентировано на использование в суперкомпьютерах и ЦОД.
Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский гигант в лице компании Samsung представил свою новую разработку — модули оперативной памяти формата DDR5 с максимально возможным объемом до 512 ГБ. Данное решение прежде всего ориентировано на использование в суперкомпьютерах и ЦОД.
Пока Samsung презентовала лишь образец с 512 ГБ ОЗУ на борту. Однако, это первый в отрасли образец с использованием технологии High-K Metal Gate (HKMG). Оперативная память формата DDR5 c поддержкой HKGM обеспечит скорость передачи данных до 7200 Мбит/с, что в два раза больше, чем у предшественницы — DDR4.
Из особенностей стоит отметить урезанное энергопотребление данного образца. Как заявили в Samsung, их оперативная память DDR5 High-K Metal Gate 512 ГБ потребляет на 13% меньше электроэнергии чем аналоги.
Ранее «Центральная Служба Новостей» сообщала, что компания Longsys опубликовала результаты тестов ОЗУ DDR5.
