Samsung и SK Hynix уже работают над новой памятью НВМ4

Согласно данным тематического интернет-портала tomshardware.com, ширина шины новой памяти НВМ4 может быть увеличена в два раза. Напомним, ширина шины у памяти НВМ в 2015 году была равна 1024 бит и с тех пор не менялась.

Если слухи окажутся правдивыми, то пиковая пропускная способность стека в НВМ4 вырастет с 1,15 до 2,3 ТБ/с. Стоит отметить, что производители готовых устройств с памятью НВМ4 могут сократить количество стеков, что позволит им сэкономить, а конечный продукт в таком случае не получит ту самую двукратную прибавку.

На данный момент разработкой новой памяти НВМ4 занимаются Samsung и SK Hynix, но пока никаких подробностей о том, когда она выйдет на рынок нет. По предварительным данным, память НВМ4 может выйти лишь в 2026 году.