Samsung анонсировала более быструю видеопамять GDDR6W, аналогичную HBM

Автор: Павел Степанцов
Фото: © Dasha Sysoeva

Новинка обеспечивает вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6.

Южнокорейская компания Samsung продолжает удивлять фанатов и индустрию в целом. Так, компания представила новые чипы памяти формата GDDR6W, которые способны обеспечить вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6. Также увеличилась и емкость чипа памяти — с 2 до 4 ГБ.

Подобных успехов разработчик смог достичь благодаря новой технологии упаковки FOWLP, которая подразумевает установку кристалла памяти прямо на кремниевой пластине, а не на печатной плате, как это было в случае с GDDR6. Сами чипы GDDR6W стали тоньше на 36%, чем чипы GDDR6. Фактически Samsung удалось разместить больший объем памяти в меньшем по объему чипе.

В Samsung отметили, что память GDDR6W способна обеспечить пропускную способность на уровне памяти HBM — 1,4 Тбайт/с на основе 512 контактов ввода-вывода при скорости передачи 22 Гбит/с. Южнокорейский разработчик заявил, что подобную память будут использовать в некоторых флагманских ноутбуках малого формфактора, а также для нужд ИИ и НРС.

Поиск

Главные новости